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青花 汉能
LED产品中,一项重要的规格数字就是色温,这关系到LED灯光照明产品所显示的颜色特性,一般的灯具也都有色温的规格。色温高低计量单位是以KelvinScale,也就是以K为单位,一开始是凯氏於钢铁厂内观察到溶解金属开始**温度时,金属发亮所呈现的颜色不同,而以数据单位记录下来,后来就产生色温的规格表。
一、色温的定义: 以温度K来表示,即把标准黑体加热,温度升高到一定程度时该黑体颜色开始深红-浅红-橙黄-白-蓝,逐渐改变,某光源与黑体的颜色相同时,我们把黑体当的温度称为该光源的色温。
二、不同光源环境下的色温: 下面是一般常见照明灯具所采用的色温 卤素灯 3000k 钨丝灯 2700k 高压钠灯 1950-2250k 蜡烛光 2000k 金属卤化物灯 4000-4600k 冷色营光灯 4000-5000k 高压汞灯 3450-3750k 暖色萤光灯 2500-3000k 晴空 8000-8500k 阴天 6500-7500k 夏日正午阳光 5500k 下午日光 4000k
三、不同色温下的光色:1、低色温:色温在3300K以下,光色偏红给以温暖的感觉;有稳重的气氛,温暖的觉;当采用低色温光源照射时,能使红色更鲜艳。 2、中色温:色温在3000--6000K为中间,人在此色调下无特别明显的视觉心理效,有爽快的感觉;所以称为\'中性\'色温。当采用中色温光源照射时,使蓝色具有 清凉感。 3、高色温:色温**过6000K,光色偏蓝,给人以清冷的感觉,当采用高色温光源照时,使物体有冷的感觉。 a. 色温与亮度高色温光源照射下,如亮度不高则给人们有一种阴气的气氛;低色温光源照射下,亮度过高会给人们有一种闷热感觉。 b. 光色的对比在同一空间使用两种光色差很大的光源,其对比将会出现层次效果,光色对比大时,在获得亮度层次的同时,又可获得光色的层次。 采用低色温光源照射,能使红色更鲜艳; 采用中色温光源照射,使蓝色具有清凉感; 采用高色温光源照射,使物体有冷的感觉。
显 色 性: 光源对物体本身颜色呈现的程度称为显色性,也就是颜色逼真的程度;光源的显色性是由显色指数来表明,它表示物体在光下颜色比基准光(太阳光)照明时颜色的偏离 ,能较全面反映光源的颜色特性。显色性高的光源对颜色表现较好,我们所见到的颜色也就接近自然色,显色性低的光源对颜色表现较差,我们所见到的颜色偏差也较大。国际照明委员延安品牌方路灯厂家 没有看上。。会CIE把太阳的显色指数定为100,各类光源的显色指数各不相同,如:高压钠灯显色指数Ra=23,荧光灯管显色指数Ra= 60~90。
显色分两种 忠实显色:能正确表现物质本来的颜色需使用显色指数(Ra)高的光源,其数值接近100,显色性好。 效果显色:要鲜明地强调特定色彩,表现美的生活可以利用加色法来加强显色效果。
光 效: 衡量光源节能的重要指标,就是光源发出的光通量除以光源所消耗的功率。单位:流明/瓦(lm/w)。
标准光源: 我们知道,照明光源对物体的颜色影响很大。不同的光源,有着各自的光谱能量分布及颜色,在它们的照射下物体表面呈现的颜色也随之变化。为了统一对颜色的认识,首先必须要规定标准的照明光源。因为光源的颜色与光源的色温密切相关,
目前用于氮化镓生长的普遍的衬底是Al2O3,其优点是化学稳定性好、不吸收可见光、价格适中、制造技术相对成熟;不足方面虽然很多,但均一一被克服,如很大的晶格失配被过渡层生长技术所克服,导电性能差通过同侧P、N电极所克服,机械性能差不易切割通过激光划片所克服,很大的热失配对外延层形成压应力因而不会龟裂。但是,差的导热性在器件小电流工作下没有暴露出明显不足,却在功率型器件大电流工作下问题十分**。
国内外Al2O3衬底今后的研发任务是生长大直径的Al2O3单晶,向4-6英寸方向发展,以及降低杂质污染和提高表面抛光质量。
3)SiC衬底
除了Al2O3衬底外,目前用于氮化镓生长衬底就是SiC,它在市场上的占有率***二,目前还未有*三种衬底用于氮化镓LED的商业化生产。它有许多**的优点,如化学稳定性好、导电性能好、导热性能好、不吸收可见光等,但不足方夜观天象面也很**,如价格太高、晶体质量难以达到Al2O3和Si那么好、机械加工性能比较差。 另外,SiC衬底吸收380 nm以下的紫外有点就是没有缺点光,不适合用来研发380 nm以下的紫外LED。由于SiC衬有没有底双视优异的的导电性能和导热性能,不需要象Al2O3衬底上功率型氮化镓LED器件采用倒装焊技术解决散热问题,而是采用上下电极结构,可以比较好的解决功率型氮化镓LED器件的散热问题,故在发展中的半导体照明技术领域占有重要地位。
目前国际上能提供商用的高质量的SiC衬底的厂家只有美国CREE公司。国内外SiC衬底今后研发的任务是大幅度降低制造成本和提高晶体结晶质量。
4)Si衬底 达康书记在的时候 凤凰北京来参观
在硅衬底上制备发光二极管是本领域里梦寐以求的一件事情,因为一旦技术获得突破,外延生长成本和器件加工成本将大幅度下降。Si片作为GaN材料的衬底有许多优点,如晶体质量高,尺寸大,成本低,易加工,良好的导电性、小乔大桥导热性和热稳定性等。然而,由于GaN外延层与Si衬底之间存在巨大的晶格失配和热失配,以及在GaN的生长过程中*形成非晶氮化硅,所以在Si 衬底上很难得到无龟裂及器件级质量的GaN材料。另外,由于硅衬底对光的吸收严重,LED出光效率低。
目前国外文献报导的硅衬底上蓝光LED光功率好水平是420mW,是德国Magdeburg大学研制的。日本Nagoya技术研究所今年在上海国际半导体照明论坛上报道的硅衬底上蓝光LED光输出功率为18 mW
5)ZnO衬底 发光。。
之所以ZnO作为GaN外延的候选衬底,是因为他们两者具有非常惊人的相似之处。两者晶体结构相同、晶格失配度非常小,禁带宽度接近(能带不连续值小,接触势垒小)。但是,ZnO作为GaN外延衬底的致命的弱点是在GaN外延生长的温度杨过和气氛中*分解和被腐蚀。目前,ZnO半导体材料尚不能用来制造光电子器件或高温电子器件,主要是材料质量达不到器件水平和P型掺杂问题没有真正解决,适合ZnO基半导体材料生长的设备尚未研制成功。今后研发的重点是寻找合适的生长方法。
但是,ZnO本身是一种有潜力的发光材料。 ZnO的禁带宽度为3.37 eV,属直接带隙,和GaN、SiC、金刚石等宽禁带半导体材料相比,它在380 nm附近紫光波段发展潜力大,是高效紫光发光器件、低阈值紫光半导体激光器的候选材料。这是因为,ZnO的激子束缚能高达60 meV,比其他半导体材料高得多(GaN为26 meV),因而具有比其他材料更高的发光效率。
另外ZnO材料的生长非常安全,可以采用没有任何毒性的水为氧源,用**金属锌为锌源。因而,今后ZnO材料的生产是真正意义上的绿色生产,原材料锌和水资源丰富、价格*,有利于大规模生产和持续发展。